点胶机:紫外线／臭氧式芯片清洗

虽然人们都知道紫外线／臭氧清洗可以有效地去除薄层的有机沾污，但要彻底清除有机硅化台物仍存在不少问题。划片时从射片膜中引入Ic芯片的硅酮残余物，可采用一层薄的聚二甲基硅氧烷(PDMS)涂层来模拟。紫外线／臭氧处理后尽管会降低浸润角，如在某些情况下浸润角将从100。以上降至5。以下。处理后表面呈增水性但并不就一定意味着能够彻底去除沾污——事实上表面上仍有可能留下数量可观的新的沾污。图5(略)为si在2P区的高分辨率xPS光谱。对于未经处理过的PDMS，基硅氧烷的()si-c键在102 4ev处存在一个信号峰值，而经过紫外线／臭氧处理后，信号峰值主要位于在103 8ev处，这意味着()一si一()转变为si()x，其中x值为1.6～2。尽管弯曲试验证明了PDMs沾污会削弱芯片和高温粘结剂之间的粘结性能，但经过紫外线／臭氧处理后PDMS可完全转变为si()，，现已证实这将使其粘结强度恢复到洁净的硅芯片表面状态下的粘结强度水平。